产品中心
产品描述:ME8320是一款满足六级能效标准原边反馈准谐振
模式的小功率AC/DC 电源控制芯片，功率最大可以做到
18W，外推功率MOS，用于充电器，适配器和LED 驱动
领域。实现±5%的恒压恒流精度和小于100mW 的待机功
耗。在恒压模式下内置了线电压补偿功能。采用准谐振控
制，实现高效率和良好的EMI 性能，满足六级能效标准要求。
该芯片集成了诸多保护功能，包括：VDD 欠压保护
(UVLO)，VDD 过压保护，软启动，逐周期过流保护，所
有管脚浮空保护，GATE 输出电压钳位保护，VDD 电压
钳位保护，过温保护，等等。
产品指数:效率满足六级能效要求
原边反馈(PSR)准谐振（QR）控制技术实现高效率，无需光耦和TL431
±5%恒压恒流精度
待机功耗小于100mW
外推功率MOS，最大功率18W
恒压模式下内置线压降补偿(Cable drop compensation)
内置软启动
所有管脚浮空保护
输出过压保护
逐周期电流限制
内置前沿消隐(Leading edge blanking)
VDD欠压保护(UVLO)，过压保护及钳位
过温保护
应用领域:
模块功能示意图
应用领域:充电器
适配器
LED照明
典型应用图：
5V1A充电器系统应用图
芯片脚位图：
脚位功能说明：
ME8320 芯片功能示意图：
典型应用图：
5V1A充电器系统应用图
芯片脚位图：
脚位功能说明：
| PIN 脚位 | 符号名 | 功能说明 |
| 1 | GND | 芯片地 |
| 2 | GATE | 外置功率MOSFET 驱动端 |
| 3 | CS | 变压器原边电流采样端 |
| 4 | CC | 外接电容，用于恒流电路 |
| 5 | FB | 输出电压反馈输入端 |
| 6 | VDD | 芯片电源 |
ME8320 芯片功能示意图：
模块功能示意图
应用信息：
功能概述：
ME8320 是一款原边反馈准谐振模式的AC/DC 电源控制芯片，功率最大可以做到18W，外推功率MOS，用于充电器，适配器和LED 驱动领域。实现±5%的恒压恒流精度和小于100mW 的待机功耗。在恒压模式下内置了线电压补偿功能。采用准谐振控制，实现高效率和良好的EMI 性能，满足六级能效标准要求。
启动：
ME8320 的启动电流非常低，所以VDD 端电容电压可以很快充至开启电压。启动电路中可以使用一个大阻值的电阻，在满足启动要求的同时，减小工作时的损耗。
工作电流：
ME8320 的工作电流低至1mA(典型值)，所以VDD 启动电容可以取更小值，同时可以提高系统转换效率。
原边准谐振控制：
ME8320 采用原边反馈准谐振工作模式，大大降低系统成本，实现高效率和良好的EMI 性能。芯片在恒压和恒流工作时，采用谷底导通，减小开关损耗，最大限度利用占空比，极大的提高了系统效率，满足六级能效标准要求。
恒流控制：
ME8320 具有精确的恒流/恒压控制能力，电池充电器应用中通常具有两种运作模式，恒压充电和恒流充电。当电池电压过低时，充电器是恒流充电，这是对电池充电的最主要的方式，大部分的能量进入电池。当电池电压达到电池饱和电压时，充电电流逐渐变小，充电器进入恒压模式。最后，充电电流继续减小直到达到0。工作在恒流模式下：
其中：ICC 为系统输出端的输出电流。
其中：ICC 为系统输出端的输出电流。
RCS 为CS 与GND 之间的电阻。
N 为变压器初级和次级线圈的匝数比。
恒压控制：
ME8320 的FB 引脚可通过电阻Ra 和Rb 的分压检测辅助绕组反馈电压，FB 电压与参考电压间的差
值通过误差放大器放大来控制开关信号的频率。为了提高输出电压的精确度，变压器的漏感应尽可能的降低。输出电压可由下式得出：V
OUT=2*(1+Ra/Rb)*（NS/NA）-ΔV
其中：Ra 和Rb 为顶端和低端反馈电阻值。
OUT=2*(1+Ra/Rb)*（NS/NA）-ΔV
其中：Ra 和Rb 为顶端和低端反馈电阻值。
NS 和NA 为变压器次级和辅助线圈的匝数。
ΔV 表示输出整流二极管的压降
电流检测和前沿消隐：
ME8320 提供了逐周期电流限制，功率管电流由连接在CS 脚上的取样电阻检测。在功率开关导通时，采样电阻上会出现开启尖峰，为避免由开启尖峰所引起的误操作，在CS 脚上设置有500nS 的前沿消隐时间，因此CS 脚的外部无需RC滤波网络。
输出线压降补偿：
常规芯片在恒压模式下，通过改变功率管导通时间来调节反馈电压，其不包括在电线上的压降。这样导致了由于采用不同规格不同长度的电线，会产生不同的输出电压。ME8320 内建了线压降补偿电路，以此取得更好的负载调整率。
ME8320 具有线损补偿功能，可补偿输出电压在电线上的压降。通过内置电流流入电阻分压器在FB 脚位产生补偿电压。随着转换器负载从空载增大至峰值功率点（恒压与恒流之间的切换点），将通过增大反馈引脚参考电压对输出电缆上的压降进行补偿。控制器根据状态调节器的输出来决定输出负载以及相应补偿的程度。最大补偿比例可由下式得出
其中，ΔV 是补偿电压，VOUT 是输出电压，Ra 和Rb 为与FB 脚相连的分压电阻。栅极驱动器：
ME8320 的GATE 脚位用于驱动外部功率MOSFET 管，GATE 驱动端采用软驱动设计，软驱动方式改善了系统的EMI 性能，实现了效率、可靠性和EMI 的平衡。驱动输出端内置齐纳二极管钳位在14.5V，以避免功率MOSFET管栅端出现过压信号而损坏。
控制保护：
ME8320 集成了完善的保护功能，包括VDD 欠压保护(UVLO)，VDD 过压保护，软启动，逐周期过
流保护，所有管脚浮空保护，VDD 电压钳位保护，过温保护等等。
产品技术资料下载
ME8320.PDF 产品技术资料下载
