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SM2082EK


  产品描述:
SM2082EK是单通道LED 恒流驱动控制芯片,芯片使用本司专利
的恒流设定和控制技术, 输出电流由外接Rext 电阻设置为5mA~60mA,
且输出电流不随芯片OUT 端口电压而变化,较好的恒流
性能。
系统结构简单,外围元件极少,方案成本低。


 产品特点:
明微专利的恒流控制技术
a) OUT 端口输出电流外置可调,范围5mA~60mA
b) 芯片间输出电流偏差小于±4%
输入AC 电压:120V/220V
支持可控硅调光应用电路
具有过热保护功能
单颗芯片可做12W 系统方案
芯片可与LED 共用PCB 板
线路简单、成本低廉
封装形式:ESOP8

 应用领域:
T5/T8 系列LED 日光灯管
LED 路灯照明应用
LED 球泡灯,LED 吸顶灯

 管脚图
                        SM2082EK管脚图介绍


 典型应用一    非调光方案应用电路
SM2082EK非调光方案应用电路

典型应用二      调光方案应用电路
SM2082EK调光应用电路


温度补偿
当LED 灯具内部温度过高,会引起LED 灯出现严重的光衰,降低LED 使用寿命。
SM2082EK 集成了温度补偿功
能,当芯片内部结温超过130ºC 时,
将会自动减小输出电流,以降低灯具内部温度。


典型应用说明
    单颗芯片应用说明
SM2082EK 交流电源应用方案电路图,LED 灯管中的LED 灯可用串联、并联或者串、并结合连接方式; C1 是高压瓷片电容,用于降低Vin 电压值;C2 是电解电容,用于降低Vin 电压纹波;Rext 电阻用于设置LED 灯管工作电流。


瓷片电容C1的容值由AC 源电压和LED 灯管中串接的LED 数量n 决定,一般可取0uF ~ 4.7uF。当LED灯数量串联的足够多时不需要使用C1 电容。
电解电容C2值越大,电压Vin 纹波越小,SM2082EK OUT 端口电压纹波越小。C2值根据LED 灯管总工作电流而定:电流越大,C2 容值越大,一般取值4.7uF/400V~22uF/400V。具体计算方法如下:
                                   SM2082EK 计算公式
公式中,ILED 为整个方案中的恒流电流,时间t :在50Hz 时约为 (1/4)*(1/fAC) = 5ms,ΔV 是OUT端口电压纹波。

芯片并联应用说明
SM2082EK芯片并联应用方案

根据LED 灯的并接组数和LED 灯工作电流选择并联芯片数量,图中Rext1~Rext(n+1)的电阻值可设置相同或者不同。
在芯片并联应用中,Rext 电阻取值不同时,整个系统的恒流开启电压为并联SM2082EK 中的最大开启电压。

芯片接入LED灯串的说明
SM2082EK 接入LED灯串说明

SM2082EK 芯片可根据不同应用环境接在系统GND 端口、LED 灯中间或者LED 灯之前。

方案一 SM2082EK无频闪应用方案(12W)
SM2082EK无频闪12W应用方案

1. LED灯串电压建议控制在250V 到270V 之间,系统工作最优化。
2. 通过改变R1,R2 电阻值,调整输出工作电流值。
3. R3 为系统放电电阻,建议510K 到1M 之间。
4. C2 电容为抗干扰器件,建议使用。

方案二 SM2082EK 无频闪应用方案(24W)
24W无频闪应用方案 SM2082EK

1. LED 灯串电压建议控制在250V 到270V 之间,系统工作最优化。
2. 通过改变R1,R2,R3,R4 电阻值,调整输出工作电流值。
3. R5 为系统放电电阻,建议510K 到1M 之间。
4. C2 电容为抗干扰器件,建议使用。

方案三 SM2082EK 高PF应用方案(12W)
SM2082EK高功率因素/高PF 12W应用方案

1. LED灯串电压建议控制在210V 到230V 之间,系统工作最优化。
2. 通过改变R1,R2 电阻值,调整输出工作电流值。
3. C1 电容为抗干扰器件,建议使用。

方案四 SM2082EK 带填谷电路的应用方案(12W)
12W带填谷电路方案 SM2082EK

1. LED 灯串电压建议控制在230V 到250V 之间,系统工作最优化。
2. 通过改变R3,R4 电阻值,调整输出工作电流值。
3. R2 为系统放电电阻,建议510K 到1M 之间。
4. C2 电容为抗干扰器件,建议使用。

方案五 SM2082EK 可控硅调光灯丝灯应用方案(3W)
3W可控硅调光灯丝灯SM2082EK应用方案

1. LED 灯串电压建议控制在110V 到120V 之间,系统工作最优化。
2. 通过改变R1 电阻值,调整输出工作电流值,改变R2 电阻值,调整泄放电流值。
3. R3 为功率电阻,用于降低SM2082EK 的功耗,R3 功耗控制在1W 内。
4. R4 为系统放电电阻,建议300K 到510K 之间。

典型应用方案EMI测试:
SM2082EK EMI测试应用方案


PCB layout 注意事项
PCB画图注意事项

(1) IC 衬底部分进行铺铜处理,进行散热,增加可靠性,铺铜如上图所示。
(2) IC 衬底焊盘漏铜距离out 端口需保证0.8mm 以上的间距,
建议衬底焊盘大小为1.8mm*2.5 mm。


 
 产品技术资料下载
SM2082EK.DPF

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